电子及电化学材料

GORE™ G620半固化片

GORE G620 Prepreg

戈尔G620半固化片可使用标准的积层构造技术，生产出可靠的低成本芯片组基片封装，戈尔G620可用低加工成本改善电气性能。


材料特性

特性 方法 值*
介电常数3 GHz LCR气隙 2.8
损耗角正切 3 GHz LCR气隙 0.015
玻璃化转变温度(Tg) TMA 155°C
热膨胀系数(CTE) TMA（–55到+125°C） 55 ppm/°C（X、Y、Z）
可燃性 UL 94 V-0
吸湿性 24小时浸润，20°C 0.1 % w/w
剥离强度 IPC TM650方法2.4.9
17 µm铜线（1/2 oz）		 1.1 Kg/cm
压模厚度 IPC TM650方法2.4.38 60 µm（形成过程中小于60µ）

* 典型特性不是规格限值，而是标称性能值

基片可靠性信息

项目 测试方法 条件 结果
先决条件 JEDEC JESD22-A113A 3级 30°C；相对湿度60%；然后在225°C回流3次 合格
热循环 JESD22-A104A条件C 3000次循环；65°C - +155°C；气体对气体 合格
压力锅测试 JEDEC JESD22-A102C、D 168小时；15磅/平方英寸；121°C 合格
高温存储(HST) JESD22-A103B 150°C；1000小时 合格
高速加温和加湿(HAST) JEDEC JESD22-A101B 130°C；相对湿度85%；33.3磅/平方英寸，96小时 合格

优点

  • 激光钻孔速度和质量出众
  • 在整个频率范围内Dk和Df稳定
  • 对优质功率分配阻抗的最佳厚度控制
  • 湿度可靠性经过实践检验
  • 采用标准积层基片封装技术的工艺流程

典型应用

  • 传统的积层式芯片封装基片
  • 倒装芯片和焊线芯片组基片