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戈尔(Gore) > 产品 > 电子及电化学材料 > 介电材料 > GORE™ G620半固化片

GORE™ G620半固化片

Microlam 620 Dielectric

戈尔G620半固化片可使用标准的积层构造技术,生产出可靠的低成本芯片组基片封装,戈尔G620可用低加工成本改善电气性能。

材料特性

特性方法值*

介电常数3 GHz

LCR气隙

2.8

损耗角正切 3 GHz

LCR气隙

0.015

玻璃化转变温度(Tg)

TMA

155°C

热膨胀系数(CTE)

TMA(–55到+125°C)

55 ppm/°C(X、Y、Z)

可燃性

UL

94 V-0

吸湿性

24小时浸润,20°C

0.1 % w/w

剥离强度

IPC TM650方法2.4.9
17 µm铜线(1/2 oz)

1.1 Kg/cm

压模厚度

IPC TM650方法2.4.38

60 µm(形成过程中小于60µ)

* 典型特性不是规格限值,而是标称性能值

基片可靠性信息

项目测试方法条件结果

先决条件

JEDEC JESD22-A113A 3级

30°C;相对湿度60%;然后在225°C回流3次

合格

热循环

JESD22-A104A条件C

3000次循环;65°C - +155°C;气体对气体

合格

压力锅测试

JEDEC JESD22-A102C、D

168小时;15磅/平方英寸;121°C

合格

高温存储(HST)

JESD22-A103B

150°C;1000小时

合格

高速加温和加湿(HAST)

JEDEC JESD22-A101B

130°C;相对湿度85%;33.3磅/平方英寸,96小时

合格

优点

  • 激光钻孔速度和质量出众
  • 在整个频率范围内Dk和Df稳定
  • 对优质功率分配阻抗的最佳厚度控制
  • 湿度可靠性经过实践检验
  • 采用标准积层基片封装技术的工艺流程

典型应用

  • 传统的积层式芯片封装基片
  • 倒装芯片和焊线芯片组基片


 

 


 
 

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